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大功率測試IGBT系統(tǒng)

在IGBT不斷向高頻、高溫、高壓、大功率方向發(fā)展的同時,IGBT的開關損耗嚴重制約了其開關頻率的提高,較大的電壓變化率和電流變化率…

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大功率測試IGBT系統(tǒng)

在..性的能源短缺和環(huán)境惡化問題日益嚴重的..,以IGBT為代表的功率半導體器件以優(yōu)良的性能廣泛應用于航空航天、交通運輸、綠色照明、智能家電、交流電機等領域。在IGBT不斷向高頻、高溫、高壓、大功率方向發(fā)展的同時,IGBT的開關損耗嚴重制約了其開關頻率的提高,較大的電壓變化率和電流變化率所引起的電壓和電流過沖會使IGBT應用電路的可靠性下降,同時也會帶來大量的電磁污染。因此,正確選擇IGBT模塊并對其工作環(huán)境進行合理的設計可以大大..如電氣寄生參數治理、熱分布管理以及EMI等工作量,不僅能提高產品的可靠性,同時也可以縮短產品的研發(fā)周期。

半導體廠商所提供的器件數據手冊對設計者有一定的參考價值,但是由于其測試數據本身的不可重復性,使得特定工作環(huán)境(環(huán)路寄生參數、驅動條件、環(huán)境溫度等)下的IGBT器件的工作狀態(tài)難以準確的預測,從而導致器件的實際應用效果與設計之間存在偏差,進而影響整個變換器系統(tǒng)的性能。通過合理的IGBT測試技術,可以得到電路參數對器件特性的影響,如封裝和電路的寄生參數、工作電壓、電流、柵極驅動、溫度等,進而獲取能夠充分反映模塊特性的數據并用于IGBT行為模型的建立。基于大量測試數據建立起來的行為模型能夠較為準確地進行開關損耗、電氣應力等方面的預測,對提高變流器效率、指導電力電子裝置的熱設計、對整體裝置進行壽命預測以及考量工作環(huán)境適應性等具有重要的意義。所以IGBT特性測試成為電力電子領域的一個研究熱點。 

大功率IGBT測試平臺能對IGBT進行雙脈沖測試、浪涌電流測試、短路測試(包括三類短路試驗)、短路失效測試,能對IGBT的反并聯二極管進行10ms、20ms等脈寬的半正弦浪涌電流測試等。

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